*FANAL温控器TFL 142-1 AE 00/1W

德FANAL压力开关，当一块通有电流的属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrent）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系

德FANAL压力开关，当一块通有电流的属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrent）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系

德FANAL压力开关，当一块通有电流的属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrent）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系

德FANAL压力开关，当一块通有电流的属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrent）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系

Fanal              TF 142-5 AC 06

fanal              TF 142-6 AC 06

fanal              TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-2 AE 00/1W

*FANAL温控器TFL 142-1 AE 00/1W

*FANAL温控器TFL 142-1 AE 00/1W

fanal              TFL 142-3 AE 00/1W

fanal              TFL 142-4 AE 00/1W

德FANAL压力开关，当一块通有电流的属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为电势U，其表达式为U=K•I•B/d其中K为系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场（洛伦慈力Lorrent）的磁感应强度，d是薄片的厚度。由此可见，德FANAL压力开关效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系