VIGO InAs/InAsS b 探测器技术参数

InAs室温光伏红外探测器
PVA-3-1x1-TO39-NW-90
PVA-3-1x1-TO39-NW-90是一种基于InAs异质结构的非制冷光伏红外探测器，具有最佳性能和稳定性。它能够检测2.3μm至3.5μm范围内的辐射。其有效面积（A）为1 mm×1 mm。探测器采用TO39封装，无窗口。应用
VIGO是为全球各个行业设计和开发光子系统和组件的 我们为许多行业构建工具，明确设计以满足需求并克服具有挑战性的问题。

我们的探测器在许多领域都有应用，如研发、医疗保健、安全和国防、工业、交通和环境保护。我们不仅在 域支持和开发我们的解决方案，而且我们正在为我们的系统开拓新的使用可能性。
HgCdTe（MCT）光电导探测器
基于光电导效应的光电导探测器。红外辐射在半导体有源区中产生电荷载流子，从而降低其电阻。通过施加恒定电压偏压，电阻变化被感测为电流变化。这些器件的特点是电流-电压特性接近线性。光电导体中的电场在整个器件上是恒定的。

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HgCdTe（MCT）光伏探测器
光伏探测器（光电二极管）是具有一个（PV）或多个（PVM）同质或异质结的半导体结构。吸收的光子产生电荷载流子，这些载流子在接触处被收集，从而产生外部光电流。光电二极管具有复杂的电流-电压特性。这些设备既可以在无闪烁的零偏压下运行，也可以在反向电压下运行。经常施加反向偏置电压以提高响应率、差分电阻、降低散粒噪声、改善系统性能